IBM ve Samsung, yarı nâkil tasarımındaki en son ilerlemelerini duyurdu. İki ortaklık, transistörleri bir yonga üzerinde yatay yerine amudi yerine yerleştirmenin ayrımsız yolunu buldu. Bakir Dikey Aktarım Alan Çalışkan Transistörler (VTFET) ismi sunulan bu tasarım, günümüz işlemcilerine nazaran işlemcilerin içerisine daha fazla transistör yerleştirilmesine müsaade veriyor. Bu tasarımla alay malay, transistörler amudi namına istiflenecek ve şu anda çoğu çipte makbul birlikte ufki düzen yerine, debi transistörler beyninde fevk ve bayağı akabilecek. IBM ve Samsung, eskimemiş tasarımın performansta iki intaç ıslah ve enerji kullanımında yüzde 85 azalma sağlayacağını sav ediyor.
Gelişigüzel hangi kadar bu uygulayım bilimi yakın ayrımsız zamanda kullanıma sunulmayacak olsa dahi IBM ve Samsung, yeni dizayn sayesinde yongalara daha çok transistör sığdırarak, beyinli telefonların yükleme ömürlerinin 1 haftayı aşabileceğini argüman ediyor. Mecmu bu veriler kulağa az çok kasırga donör gelse de rastgele iki müşareket, bu teknolojinin ne ahit ticarileştirileceğine dayalı tıpkısı açıklama yapmadı.